英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET：BSC050N10NS5（100V），BSC052N08NS5（80V）

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明佳达电子长期供应英飞凌（Infineon）OptiMOS™ 5系列功率MOSFET，以下为BSC050N10NS5与BSC052N08NS5两款产品的详细介绍与规格参数。

一、BSC050N10NS5 — OptiMOS™ 5 100V 功率MOSFET
BSC050N10NS5隶属于英飞凌OptiMOS™ 5系列，是一款100V N沟道功率MOSFET，专为高性能开关电源（SMPS）应用而优化，尤其适用于通信与服务器电源的同步整流场景。该器件在同类产品中拥有行业领先的低导通电阻（RDS(on)）特性，相比上一代产品RDS(on)降低了43%，输出电容减少了44%。

核心应用领域：中等电压IBC（48V）、高压DC-DC转换器、通信基础设施、不间断电源（UPS）。

BSC050N10NS5 主要规格参数
产品系列：OptiMOS™ 5
极性：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID @25°C）：114A
脉冲漏极电流（IDpuls @25°C）：456A
导通电阻（RDS(on) @10V）：5mΩ（最大值）
耗散功率（Ptot）：136W
栅极电荷（Qg typ @10V）：        49nC
输入电容（Ciss）：4300pF
输出电容（Coss）：640pF
反向传输电容（Crss）：35pF
阈值电压（VGS(th)）：        2.2V - 3.8V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：SuperSO8 / PG-TDSON-8（5×6mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
无铅/RoHS合规：是
额定温度：175°C

产品特性：

• 针对同步整流优化，适合高开关频率应用
• 100%雪崩测试
• 卓越的热阻性能，RthJC最大1.1 K/W
• 无铅引脚镀层，符合RoHS标准，无卤素
  

完整型号（带后缀） ：BSC050N10NS5ATMA1

二、BSC052N08NS5 — OptiMOS™ 5 80V 功率MOSFET
BSC052N08NS5同样属于英飞凌OptiMOS™ 5系列，是一款80V N沟道功率MOSFET，专为通信与服务器电源的同步整流而设计。该器件也可广泛应用于太阳能、低压驱动器和适配器等工业领域。相比上一代产品，RDS(on)降低幅度同样高达43%。

核心应用领域：通信电源同步整流、服务器电源、太阳能逆变器、低压驱动、适配器。

BSC052N08NS5 主要规格参数
产品系列：OptiMOS™ 5
极性：N沟道
漏源电压（VDS）：80V
连续漏极电流（ID @25°C）：95A
脉冲漏极电流（IDpuls）：380A
导通电阻（RDS(on) @10V）：5.2mΩ（最大值）
耗散功率（Ptot）：83W
栅极电荷（Qg typ @10V）：32nC
输入电容（Ciss）：2200pF
输出电容（Coss）：370pF
反向传输电容（Crss）：32pF
阈值电压（VGS(th)）：2.2V - 3.8V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SuperSO8 / PG-TDSON-8（5×6mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
无铅/RoHS合规：是
湿敏等级（MSL）：        1级

产品特性：

• 针对同步整流优化，适合高开关频率
• 100%雪崩测试
• 卓越的热阻性能，RthJC最大1.5 K/W
• 相比上一代，RDS(on)降低43%，输出电容降低44%
• 无铅镀层，符合RoHS标准，无卤素
  

完整型号（带后缀） ：BSC052N08NS5ATMA1