LMK3H2108A16RKPR时钟发生器、IQE010N04LM7CGSC功率MOSFET

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明佳达电子、星际金华（供应 | 回收）LMK3H2108A16RKPR时钟发生器、IQE010N04LM7CGSC 功率MOSFET。

以下是LMK3H2108A16RKPR 和 IQE010N04LM7CGSC两款元器件的详细产品描述信息：
一、LMK3H2108A16RKPR——TI  8输出PCIe Gen 1-7兼容BAW时钟发生器
LMK3H2108A16RKPR 是一款8输出、兼容PCIe Gen 1至Gen 7的BAW无参考时钟发生器、时钟多路复用器和缓冲器。该器件基于TI先进的体声波（BAW）谐振器技术，无需外部晶体参考即可生成超低抖动时钟信号。器件采用40-VQFN（5×5mm）封装。
型号：LMK3H2108A16RKPR
基准源：集成 BAW 谐振器，无需外部 XTAL/XO，上电 ≤5ms 稳定
输出配置：8 路差分（可拆 16 路 LVCMOS）；最高 400MHz
输出电平：LP-HCSL（摆幅可编程）、DC/AC 耦合 LVDS、1.2/1.8/2.5/3.3V LVCMOS；LVPECL/CML 可由 LP-HCSL 派生
抖动性能（CC+SSC）：PCIe Gen5 ≤61fs、Gen6 ≤36.4fs、Gen7 ≤25.5fs​ RMS
输入：3 路可旁路时钟输入，支持差分/单端、时钟冗余切换
分频与配置：2 个分数输出分频器（FOD）+ 独立通道分频；I²C + OTP 预编程；GPI/GPIO 多功能；可配向下/中心展频（SSC）
电源：核心 VDD 与每路 VDDO 独立选 1.8/2.5/3.3V；失效防护输入
封装：VQFN-40（RKP，5×5mm），环境温度 -40℃~+105℃

二、IQE010N04LM7CGSC——英飞凌（Infineon）40V N沟道汽车级功率MOSFET
IQE010N04LM7CGSC 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有极低的导通电阻（典型值仅1mΩ）。该器件采用PG-WHTFN-9封装。
型号：IQE010N04LM7CGSC
电压/电流：VDSS 40V；ID 270A（Tc 条件，工业级）；VGS ±16V
导通电阻：RDS(on) 1.0mΩ max@VGS=10V，1.3mΩ max@4.5V（25℃）
栅极电荷：Qg 39nC typ@10V（18.9nC@4.5V），VGS(th) 1.1–1.7V（典型 1.4V）
产品特性：
超低导通电阻：RDS(on)典型值仅1mΩ，大幅降低导通损耗，提升系统效率
AEC-Q101车规认证：满足汽车电子严苛的可靠性要求
高电流能力：连续漏极电流高达271A（外壳温度），适用于大电流功率转换应用
宽工作温度范围：-55°C ~ 175°C，适应极端环境
低栅极电荷：Qg仅52nC，降低开关损耗
先进沟槽工艺：高密度单元设计，实现极低的导通电阻与优异的开关性能