32GB eMMC存储模块BWCTARJ11X32G、GS-065-014-6-L-MR[GaN晶体管]

mjddz

明佳达电子、星际金华（供应 | 回收）32GB eMMC存储模块BWCTARJ11X32G、GS-065-014-6-L-MR[GaN晶体管]。
【产品详情信息】
一、BWCTARJ11X32G – 32GB eMMC 存储模块
规格参数：
存储容量：32GB
接口标准：eMMC 5.1
工作电压：VCC = 3.3V，VCCQ = 1.8V / 3.3V
封装类型：LFBGA-153
封装尺寸：13.00mm x 11.50mm
关键特性与功能
高速传输：支持 HS400 模式，数据传输速率高达 400MB/s
标准接口：采用 eMMC 5.1 标准，向下兼容，具备 CLK、CMD、DATA[0:7] 和 RST_n 等标准信号引脚
大容量存储：提供 32GB 的 NAND Flash 存储空间
紧凑封装：153-ball BGA 封装，适用于空间受限的嵌入式设计
应用广泛：适用于嵌入式系统、物联网设备、移动设备等

二、GS-065-014-6-L-MR – 英飞凌 (Infineon) CoolGaN™ 700V 氮化镓功率晶体管
产品描述
GS-065-014-6-L-MR 是英飞凌（Infineon）CoolGaN™ G4 系列的一款 700V 增强型（E-mode）氮化镓（GaN）功率晶体管。该器件采用英飞凌的氮化镓技术，旨在实现极高功率密度和系统效率。
规格参数：
VDS 最大耐压：700 V
连续漏极电流 Id：15.2 A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流：25 A
Rds (on) 最大值：138 mΩ（Vgs=6V）
栅极驱动电压：典型 6V 驱动
封装：PG-VSON-8（PDFN 5×6mm）
栅电荷 Qg：2.7 nC
工作温度：-40℃～+150℃
超高效率：作为 CoolGaN™ 700V G4 晶体管，具有极低的导通和开关损耗，可实现超高系统效率
高功率密度：优异的性能使电源设计更小型、更轻量