数据中心、48 V 配电 IQEH46NE2LM7ZCGSC IQEH50NE2LM7UCGSC【MOSFET】

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IQEH46NE2LM7ZCGSC 和 IQEH50NE2LM7UCGSC是OptiMOS™ 7 25 V功率MOSFET，它们是专为‌开关应用‌优化的高性能N沟道功率MOSFET，属于OptiMOS™ 7系列产品中的一个重要分支。该系列产品旨在满足人工智能、数据中心、通信设备等高效率、高功率密度应用的严苛需求。

下面是它们的基本参数信息：
1、IQEH46NE2LM7ZCGSC参数：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Ta），430A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.48 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 432µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 12 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-WHTFN-9

2、IQEH50NE2LM7UCGSC规格：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54A（Ta），422A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 432µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 12 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-WHTFN-9

主要应用场景
‌1、人工智能与数据中心‌：为48V转12V的中间总线转换器（IBC）提供核心功率器件，支持谐振转换、同步整流等先进架构，提升整体电源系统能效。
‌2、通信与服务器电源‌：广泛应用于5G基站、传统服务器的开关模式电源（SMPS），其低温升特性延长设备无故障运行时间。
‌3、工业与消费电子‌：适用于电信设备、高效能工业电源、电动工具等需要高效率、高功率密度的电源转换系统。

IQEH46NE2LM7ZCGSC 和 IQEH50NE2LM7UCGSC采用（PG-WHTFN-9）封装，具备优异的散热性能和紧凑设计，是现代高效电源系统的理想选择。‌如果您有这方面的库存需要处理，或者需要采购IQEH46NE2LM7ZCGSC 和 IQEH50NE2LM7UCGSC，可以联系我们明佳达电子——qq 1668527835.