CYEL15B102Q-SXM、CYEL15B102N-ZS60XM、CYEL16B256-133SXE【存储器ic】

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【明佳达电子、星际金华】三款英飞凌系列耐辐射存储芯片——CYEL15B102Q-SXM、CYEL15B102N-ZS60XM、CYEL16B256-133SXE。
【供应、回收】
CYEL15B102Q-SXM——耐辐射、高可靠性、小尺寸、2Mb 非易失性串行外设接口 (SPI) F-RAM
CYEL15B102N-ZS60XM——耐辐射、高可靠性、占用空间小、2Mb 非易失性串行外设接口 (SPI) 铁电 RAM (F-RAM)
CYEL16B256-133SXE——耐辐射、高可靠性、小尺寸、适用于 NewSpace 的 256Mb QSPI NOR 闪存

【参数信息详情】
CYEL15B102Q-SXM：耐辐射串行F-RAM，兼顾高 endurance与低功耗
CYEL15B102Q-SXM是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺，逻辑组织为256K×8，凭借卓越的耐辐射性能和稳定的存储表现，广泛应用于军事、航空航天等严苛环境。该芯片支持高达25MHz的串行外设接口（SPI），兼容SPI模式0和模式3，可直接硬件替换串行Flash和EEPROM，极大降低系统设计复杂度。

CYEL15B102N-ZS60XM：车规级高可靠F-RAM，适配多场景非易失性存储
CYEL15B102N-ZS60XM隶属于英飞凌耐辐射存储系列，是一款2-Mbit高性能F-RAM，逻辑组织可配置为128K×16或256K×8，兼顾高可靠性与灵活性，适配汽车电子、能源存储、工业控制等多领域需求。
核心特性方面，CYEL15B102N-ZS60XM的读写 endurance高达10¹⁴次，数据保留时间长达151年，远超传统EEPROM和Flash器件，可满足频繁读写场景的长期稳定存储需求。

CYEL16B256-133SXE：耐辐射QSPI NOR Flash，赋能NewSpace卫星存储
CYEL16B256-133SXE是英飞凌专为NewSpace市场打造的256MB耐辐射QSPI NOR Flash芯片，采用65nm浮栅工艺，凭借高可靠性、高灵活性和高性能，成为卫星载荷FPGA配置图像存储、处理器引导代码存储的理想选择。
CYEL16B256-133SXE 支持QSPI接口，最高工作频率可达133MHz，同时兼容单I/O、双I/O、四I/O及DDR读取模式，数据传输速率可媲美传统并行接口NOR Flash，且大幅减少信号连接数量，适配空间有限的系统设计。