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中校 
 
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| R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP芯片属于 RH850/P1M-E 系列,采用 G3M 内核,主频高达160MHz。该系列MCU专为电子助力转向系统设计,支持新 CAN-FD 通信标准。 
 R7F701375EAFP 产品规格如下:
 核心处理器:RH850G3M
 内核规格:32 位双核
 速度:160MHz
 连接能力:CANbus,CSI,FlexRay,LINbus,PSI5,SCI,SENT,UART/USART
 外设:DMA,POR,PWM,温度传感器,WDT
 I/O 数:50
 程序存储容量:2MB(2M x 8)
 程序存储器类型:闪存
 EEPROM 容量:64K x 8
 RAM 大小:192K x 8
 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
 数据转换器:A/D 19x12b
 振荡器类型:内部
 工作温度:-40°C ~ 150°C
 安装类型:表面贴装型
 封装:100-LFQFP(14x14)
 
 R7F701376EAFP 技术规格如下:
 核心处理器:G3M
 内核规格:32-位
 速度:160MHz
 连接能力:CANbus, CSI, FlexRay, LINbus, PSI5, UART/USART
 外设:DMA,温度传感器,WDT
 I/O 数:50
 程序存储容量:2MB(2M x 8)
 程序存储器类型:闪存
 EEPROM 容量:64K x 8
 RAM 大小:192K x 8
 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
 数据转换器:A/D 24x12b
 振荡器类型:内部
 工作温度:-40°C ~ 150°C
 安装类型:表面贴装型
 封装:100-LFQFP(14x14)
 
 R7F701377EAFP 主要规格如下:
 核心处理器:RH850G3M
 内核规格:32 位双核
 速度:160MHz
 连接能力:CANbus,CSI,FlexRay,LINbus,PSI5,SCI,SENT,UART/USART
 外设:DMA,POR,PWM,温度传感器,WDT
 I/O 数:86
 程序存储容量:2MB(2M x 8)
 程序存储器类型:闪存
 EEPROM 容量:64K x 8
 RAM 大小:192K x 8
 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
 数据转换器:A/D 24x12b
 振荡器类型:内部
 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
 安装类型:表面贴装型
 封装:144-LFQFP(16x16)
 
 通信接口
 集成 CAN_FD (高速CAN)、 LIN (本地互联网络)及 FlexRay (车载网络标准)接口,支持1路经典CAN和1路CAN_FD通道配置。
 
 功耗管理
 采用40nm工艺降低漏电功耗,支持多核协同工作以平衡性能与能耗,特别适用于需要低功耗的汽车电子系统。
 
 适用场景
 R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP微控制器主要应用于电动助力转向系统(EPS),兼具传感器融合网关及底盘控制系统等高安全要求场景。
 
 明佳达(供求)专为电动助力转向系统设计——R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP 32位汽车微控制器
 
 
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