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专为电动助力转向系统设计——R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP

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发表于 2025-7-31 17:54 |显示全部楼层
R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP芯片属于 RH850/P1M-E 系列,采用 G3M 内核,主频高达160MHz。该系列MCU专为电子助力转向系统设计,支持新 CAN-FD 通信标准。

R7F701375EAFP 产品规格如下:
核心处理器:RH850G3M
内核规格:32 位双核
速度:160MHz
连接能力:CANbus,CSI,FlexRay,LINbus,PSI5,SCI,SENT,UART/USART
外设:DMA,POR,PWM,温度传感器,WDT
I/O 数:50
程序存储容量:2MB(2M x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:64K x 8
RAM 大小:192K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 19x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装:100-LFQFP(14x14)

R7F701376EAFP 技术规格如下:
核心处理器:G3M
内核规格:32-位
速度:160MHz
连接能力:CANbus, CSI, FlexRay, LINbus, PSI5, UART/USART
外设:DMA,温度传感器,WDT
I/O 数:50
程序存储容量:2MB(2M x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:64K x 8
RAM 大小:192K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 24x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装:100-LFQFP(14x14)

R7F701377EAFP 主要规格如下:
核心处理器:RH850G3M
内核规格:32 位双核
速度:160MHz
连接能力:CANbus,CSI,FlexRay,LINbus,PSI5,SCI,SENT,UART/USART
外设:DMA,POR,PWM,温度传感器,WDT
I/O 数:86
程序存储容量:2MB(2M x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:64K x 8
RAM 大小:192K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 24x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:144-LFQFP(16x16)

通信接口
集成 CAN_FD (高速CAN)、 LIN (本地互联网络)及 FlexRay (车载网络标准)接口,支持1路经典CAN和1路CAN_FD通道配置。

功耗管理
采用40nm工艺降低漏电功耗,支持多核协同工作以平衡性能与能耗,特别适用于需要低功耗的汽车电子系统。

适用场景
R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP微控制器主要应用于电动助力转向系统(EPS),兼具传感器融合网关及底盘控制系统等高安全要求场景。

明佳达(供求)专为电动助力转向系统设计——R7F701375EAFP R7F701376EAFP R7F701377EAFP 32位汽车微控制器

明佳达电子/星际金华实业有限公司 qq 1668527835
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