NCV33202VDR2G运算放大器【IPD14N06S2-80】MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

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明佳达电子 星际金华供应全新NCV33202VDR2G运算放大器【IPD14N06S2-80】MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
NCV33202VDR2G 轨至轨 I/O 高输出运算放大器


1、概述
NCV33202VDR2G 运算放大器的输入和输出均可实现轨至轨操作。输入可驱动至超出电源轨 200mV 的高电平，而输出不会发生相位反转，输出可在每个轨 50 mV 范围内摆动。这种轨至轨的工作方式使用户能够充分利用可用的电源电压范围。它的设计工作电压非常低（+/- 0.9 V），但可以在高达 +12 V 的电源和接地电压下工作。输出电流提升技术提供了高输出电流能力，同时将放大器的漏极电流保持在最低水平。此外，低噪声、低失真、高压摆率和高驱动能力使其成为音频应用的理想放大器。
2、技术参数
放大器类型：通用
电路数：2
输出类型：满摆幅
压摆率：1V/µs
增益带宽积：2.2 MHz
电流 - 输入偏置：80 nA
电压 - 输入补偿：8 mV
电流 - 供电：900µA（x2 通道）
电流 - 输出/通道：80 mA
电压 - 跨度（最小值）：1.8 V
电压 - 跨度（最大值）：12 V
工作温度：-55°C ~ 125°C
等级：汽车级
资质：AEC-Q100
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC
3、应用领域
NCV33202VDR2G适用于各种需要低噪声、高驱动能力和宽电源电压范围的应用，特别是音频放大器、仪表放大器和信号处理电路等‌。由于其低噪声特性，它也非常适合用于音频设备中，如耳机放大器和扬声器驱动器‌。

IPD14N06S2-80 MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
1、介绍
‌IPD14N06S2-80器件是一款N-channel增强型MOSFET，适用于汽车电子领域。‌
2、基本参数
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：293 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：47W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-TO252-3
应用领域
IPD14N06S2-80器件适用于多种汽车电子应用，包括但不限于：
‌阀门控制‌
‌电磁阀控制‌
‌照明‌
‌单端电机‌
‌仿真/SPICE模型应用