供应IAUA180N04S5N012 40V, IAUT165N08S5N029 80V, 功率 MOSFET N-Ch

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40V, N-Ch, 1.2 mΩ max, Automotive MOSFET,sTOLL
采用 sTOLL 封装的新型 IAUA180N04S5N012 ​OptiMOS-5™ 40 V Mosfet（7x8 mm2 的高功率无铅封装），适用于未来的汽车应用（JEDEC 名称为 MO-319A，IEC 名称为 HSOF-5）。sTOLL 提供 250 A 的高电流能力和 56 mm2 的基底面，甚至比 DPAK （65 mm2） 还要小。
规格
不同Id时Vgs(th)(最大值)：3.4V @ 70uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)：6158pF @ 25V
Vgs(最大值)：±20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：180A(Tc)
功率耗散(最大值)：125W(Tc)
技：术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)：40V
工作温度：-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳：5-PowerSFN
FET类型N 通道
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)：1.2毫欧 @ 90A,10V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)：100nC @ 10V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)：7V,10V
封装：PG-HSOF-5-1

80V, N-Ch, 2.9 mΩ, Automotive MOSFET, TOLL
IAUT165N08S5N029的特征
• N 通道 - 增强模式
• AEC 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流焊
• 175°C 工作温度
• 绿色产品（符合 RoHS 标准）
• 超低 Rds（on）
• 100% 雪崩测试

规格
封装 / 箱体：HSOF-8
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：80 V
Id-连续漏极电流：165 A
Rds On-漏源导通电阻：2.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.2 V
Qg-栅极电荷：90 nC
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：167 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
明佳达 星际金华供应IAUA180N04S5N012 40V, IAUT165N08S5N029 80V, 功率 MOSFET N-Ch，如有兴趣请联系陈先生qq 1668527835 咨询。