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IGBT模块 DF400R12KE3,IPF026N15NM6(MOSFET晶体管)ISC079N15NM6

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发表于 2024-9-29 10:52 |显示全部楼层
【供应,回收】IGBT模块 DF400R12KE3,IPF026N15NM6(MOSFET晶体管)ISC079N15NM6,明佳达电子,星际金华长期供求原装库存器件,有兴趣的朋友,欢迎随时联络我们!


DF400R12KE3:62mm、1200V、400A 斩波器 IGBT 模块
型号:DF400R12KE3
封装:模块
类型:IGBT 模块
DF400R12KE3 - 产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):580 A
功率 - 最大值:2000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):28 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块

IPF026N15NM6:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,150V 正常电平,采用 D²PAK 7 引脚封装
型号:IPF026N15NM6
封装:PG-TO263-7
类型:功率 MOSFET 晶体管
IPF026N15NM6 - 产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A (Ta), 239A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5mOhm @ 100A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 276µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):137 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9900 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),395W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-3
封装/外壳:TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)

ISC079N15NM6 - OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,150V 正常电平,采用 SuperSO8 封装
型号:ISC079N15NM6
封装:功率 MOSFET 晶体管
类型:PG-TDSON-8
ISC079N15NM6 - 产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.8A (Ta), 95A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.4mOhm @ 36A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 77µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2900 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3W (Ta), 165W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TDSON-8
封装/外壳:8-PowerTDFN

明佳达电子,星际金华【供应,回收】IGBT模块 DF400R12KE3,IPF026N15NM6(MOSFET晶体管)ISC079N15NM6。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!


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