碳化硅CoolSiC™ MOSFET FF8MR12W1M1HB11和FF6MR12W2M1HPB11 MOSFET半桥模块

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描述
这款第一代1200 V，8/6 mΩ EasyDUAL™ 2B  CoolSiC™ MOSFET半桥模块采用集成的NTC温度传感器和PressFIT压接技术。

特征描述

• 同类最佳高度：12.25 mm
• 先进的宽禁带（WBG）半导体材料
• 非常低的模块杂散电感
• 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET
• 更大的栅极驱动电压范围
• 电压范围：15至18V，以及0至-5 V
• 扩展的最大栅源电压
• 栅源电压：+23 V和-10 V
• 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C
• 集成了NTC温度传感器
  

规格

技术： 碳化硅（SiC）  

配置： 2 个 N 沟道   

漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tj）  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） ：5.63 毫欧 @ 200A，15V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.55V @ 80mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） ：496nC @ 15V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14700pF @ 800V  

工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 底座安装  

封装/外壳： 模块  

供应商器件封装： 模块

优势

• 优异的模块效率
• 系统成本优势
• 提升系统效率
• 降低散热需求
• 可实现更高的频率
• 提高功率密度
  

应用

• UPS 系统
• 高频开关应用
• DC/DC 变换器
• 太阳能应用