具有出色的反向恢复特性UF3SC065030B7S UJ3C120080K3S（SiC）FET器件

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UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm 高性能SiC FET基于独特“共源共栅”的电路配置，配置包括一个常开型SiC JFET，可与Si MOSFET共同封装，产生常闭型SiC FET器件。该器件采用D2PAK-7L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

规格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：11 ns, 9 ns

Id-连续漏极电流：62 A

最大工作温度：+ 175°C

最小工作温度：- 55°C

湿度敏感性：Yes

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1 Channel

封装 / 箱体：D2PAK-7

封装：Reel

封装：Cut Tape

Pd-功率耗散：214 W

产品：SiC FETs

产品类型：SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷：43 nC

Rds On-漏源导通电阻：27 mOhms

上升时间：26 ns, 28 ns

系列：UF3SC

工厂包装数量：800

子类别：Transistors

技术：SiC

商标名：SiC FET

晶体管极性：N-Channel

类型：SiC FET

典型关闭延迟时间：46 ns

典型接通延迟时间：23 ns

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压：6 V

单位重量：4.675 g

明佳达 星际金华（出售/收购）具有出色的反向恢复特性UF3SC065030B7S UJ3C120080K3S（SiC）FET器件，详情请联系陈先生qq 1668527835。

UJ3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET器件基于独特的级联配置，并针对软开关设计进行了优化。UJ3C SiC FET非常适合用于升级现有基于硅的器件或启动基于SiC的新设计。
规格：
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：14 ns
Id-连续漏极电流：33 A
最大工作温度：+ 175°C
最小工作温度：- 55°C
安装风格：Through Hole
通道数量：1 Channel
封装 / 箱体：TO-247-3
封装：Tube
Pd-功率耗散：254.2 W
产品类型：SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷：51 nC
资格：AEC-Q101
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
上升时间：14 ns
系列：UJ3C
工厂包装数量：600
子类别：Transistors
技术：SiC
商标名：SiC FET
晶体管极性：N-Channel
典型关闭延迟时间：61 ns
典型接通延迟时间：22 ns
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
单位重量：6 g