IC：ADRF6780ACPZN【变频器】，ADRF5473BCZ【衰减器】ADRF5474BCZ

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：ADRF6780ACPZN【变频器】，ADRF5473BCZ【衰减器】ADRF5474BCZ。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

ADRF6780ACPZN：5.9GHz 至 23.6GHz、宽带、微波上变频器
一、描述：
ADRF6780ACPZN 是一款硅锗（SiGe）设计的宽带微波上变频器，针对在 5.9 GHz 至 23.6 GHz 频率范围内工作的点对点微波无线电设计进行了优化。该器件能够从基带 I/Q 输入信号直接转换为射频 (RF)，以及从实际中频 (IF) 输入载波频率进行单边带 (SSB) 上变频。
二、主要特点：
宽带射频输出频率范围：5.9GHz 至 23.6GHz
两种上变频模式
- 从基带 I/Q 直接转换到射频
- 从实际中频进行单边带上变频
高达 28 GHz 的 LO 倍频器
匹配 100 Ω 平衡射频输出、LO 输入和 IF 输入
高阻抗基带输入
边带抑制和载波馈通优化
可通过 4 线 SPI 接口进行编程
32 引线、5 mm × 5 mm LFCSP 封装

ADRF5473BCZ：100MHz 至 40GHz 0.5 dB LSB、6位、载波芯片、硅数字衰减器
一、描述：
ADRF5473BCZ 是一款 6 位数字衰减器，衰减范围为 31.5 dB，步进为 0.5 dB，采用硅工艺制造，附着在砷化镓 (GaAs) 载体衬底上。该器件工作频率为 100 MHz 至 40 GHz，插入损耗优于 3.2 dB，衰减精度极高。
二、产品特征：
超宽带频率范围： 100 MHz 至 40 GHz
衰减范围 31.5 dB，步进为 0.5 dB
用于线键合和带键合的键合垫
相对相位分布紧密
无低频杂散信号
SPI 和并行模式控制，兼容 CMOS/LVTTL
射频振幅稳定时间（最终射频输出的 0.1 dB）： 250 毫微秒

ADRF5474BCZ：10MHz 至 60GHz、2dB LSB、4位、载波芯片、硅数字衰减器
一、描述：
ADRF5474BCZ 是一款 4 位数字衰减器，衰减控制范围为 22 dB，步进为 2 dB，采用硅工艺制造，附着在砷化镓 (GaAs) 载体基板上。该器件工作频率为 10 MHz 至 60 GHz，插入损耗优于 2.7 dB，在 55 GHz 时具有出色的衰减精度。ADRF5474 在所有状态下的射频输入功率处理能力均为平均 23 dBm，峰值 24 dBm。
二、主要特性：
超宽带频率范围： 10 MHz 至 60 GHz
衰减范围：22 dB，步进为 2 dB
用于导线接合和带状接合的接合垫
高输入线性度
- P0.1dB: 25.5 dBm 典型值
- IP3：典型值为 45 dBm
相对相位分布紧密
无低频杂散信号
并行模式控制，兼容 CMOS/LVTTL