器件：NTD360N65S3H / NTB7D3N15MC / NVMFS5C410NWFAFT1G【MOSFET 晶体管】

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：NTD360N65S3H / NTB7D3N15MC / NVMFS5C410NWFAFT1G【MOSFET 晶体管】。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

NTD360N65S3H：650V N通道功率 MOSFET 晶体管
一、描述：
NTD360N65S3H 全新高压超级结（SJ）MOSFET晶体管，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。
型号：NTD360N65S3H
封装：TO-252-3
类型：MOSFET 晶体管
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：916 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-252（DPAK）
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

NTB7D3N15MC：150V N通道功率 MOSFET 晶体管
一、描述：
NTB7D3N15MC 是N沟道屏蔽栅MOSFET 晶体管，降低了开关噪声/电磁干扰 (EMI)，最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能（通过同类最佳的软体二极管）。
型号：NTB7D3N15MC
封装：TO-263-3
类型：MOSFET 晶体管
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.2A（Ta），101A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.3 毫欧 @ 62A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 342µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4250 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），166W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-263（D2PAK）
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

NVMFS5C410NWFAFT1G：40V N沟道 MOSFET 晶体管
一、描述：
NVMFS5C410NWFAFT1G 是40V N沟道 MOSFET 晶体管，采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
型号：NVMFS5C410NWFAFT1G
封装：DFN-5
类型：MOSFET 晶体管
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.92 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），166W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线