中尉
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明佳达电子(星际金华)长期供【供应】【回收】原装库存器件:IQDH35N03LM5CG、ISC104N12LM6、IAUA250N04S6N008 【MOSFET 晶体管】,有兴趣的朋友,欢迎随时联络我们!
一、IQDH35N03LM5CG:30V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
1、描述:
IQDH35N03LM5CG 是采用 PQFN 5x6 mm2 降压型封装的30V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管。该器件具有出色的热性能,便于管理功率损耗。
2、产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A(Ta),700A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.35 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1.46mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):197 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):18000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),278W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
3、功能概述:
尖端硅技术 OptiMOS™ 30 V,具有出色的 FOM
源降封装,具有更好的散热性能和超低寄生效应
源降封装,最大限度地提高了芯片/封装比
采用中心栅极基底面的下源封装
二、ISC104N12LM6:120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管 逻辑电平,采用 SuperSO8 封装
1、描述:
ISC104N12LM6 是一款逻辑级 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,采用 SuperSO8 封装,导通电阻为 10.4 mOhm。
2、产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta),63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3.3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.4 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 60 V
功率耗散(最大值):3W(Ta),94W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:PG-TDSON-8
3、产品特征:
极低的导通电阻
极低的反向恢复电荷
出色的栅极电荷 x RDS(导通)
雪崩能量等级高
额定结温为 175°C
三、IAUA250N04S6N008:OptiMOS™ 6 汽车功率 MOSFET 晶体管
1、描述:
IAUA250N04S6N008 是一款用于汽车应用的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管。
2、产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.8 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):109 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7088 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):172W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:PG-HSOF-5-1
3、功能概述:
用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
N 沟道 MOSFET
增强模式 - 正常电平
超越 AEC-Q101 的扩展鉴定
增强型电气测试
稳健的设计
MSL3 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
100% 通过雪崩测试
深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件:【MOSFET 晶体管】IQDH35N03LM5CG、ISC104N12LM6、IAUA250N04S6N008。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!
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