原装【ON】NVMFS5C410NWFAFT1G MOSFET - 功率，单 N 沟道

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明佳达电子供应全新原装【ON】NVMFS5C410NWFAFT1G MOSFET - 功率，单 N 沟道 40 V，0.92 m，300 A

特点

• 占用空间小（5x6 毫米），设计紧凑
• 低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
• 低 QG 和电容，将驱动器损耗降至最低
• NVMFS5C410NWF - 用于增强光学检测的可湿侧面选件
• 通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP
• 这些器件无铅，符合 RoHS 规范
  

介绍
安森美半导体Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

产品属性：NVMFS5C410NWFAFT1G

制造商: onsemi  

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: SO-8FL  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 40 V  

Id-连续漏极电流: 300 A  

Rds On-漏源导通电阻: 760 uOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V  

Qg-栅极电荷: 86 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 166 W  

通道模式: Enhancement  

资格: AEC-Q101  

系列: NVMFS5C410N  

配置: Single  

下降时间: 173 ns  

正向跨导 - 最小值: 190 S  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 162 ns  

工厂包装数量: 1500  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 227 ns  

典型接通延迟时间: 54 ns  

单位重量: 187 mg