【MOSFET 晶体管】NTPF450N80S3Z，FDMS4D0N12C，IXTY2P50PA（供求）

mjddz

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：【MOSFET 晶体管】NTPF450N80S3Z，FDMS4D0N12C，IXTY2P50PA。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

NTPF450N80S3Z：800V N-通道、SUPERFET III、功率 MOSFET 晶体管
型号：NTPF450N80S3Z
封装：TO-220-3
类型：MOSFET 晶体管
一、描述：
NTPF450N80S3Z 是一款高性能 MOSFET 晶体管，击穿电压高达 800V。专为反激式转换器的初级开关而优化，其优化设计可在不牺牲 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：885 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：29.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
三、产品特征：
典型值 RDS(on) = 380 m
超低栅极电荷（典型值 Qg = 19.3 nC）
输出电容存储能量低（400 V 时 Eoss = 2.2 J）
100% 通过雪崩测试
通过齐纳二极管提高 ESD 能力

FDMS4D0N12C：单 N-通道 MOSFET 晶体管
型号：FDMS4D0N12C
封装：PQFN-8
类型：MOSFET 晶体管
一、描述：
FDMS4D0N12C 是120V 单N-通道功率 MOSFET 晶体管。
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.5A（Ta），114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 370A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6460 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）：2.7W（Ta），106W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PQFN（5x6）
三、产品特征：
小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计
低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低
低 QG 和电容，可将驱动器损耗降至最低

IXTY2P50PA：P-通道 MOSFET 晶体管
型号：IXTY2P50PA
封装：TO-252-3
类型：MOSFET 晶体管
一、描述：
IXTY2P50PA 是500V P-通道增强型 PolarP™ MOSFET 晶体管。
二、产品属性：
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：58W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型