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供求英飞凌 F4-8MR12W2M1H-B70, F4-8MR12W2M1H 碳化硅 MOSFET 模块

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[LV.200]无线新星
发表于 2024-6-11 11:43 |显示全部楼层
深圳市明佳达电子供应及求购英飞凌 F4-8MR12W2M1H-B70, F4-8MR12W2M1H 碳化硅 MOSFET 模块

描述:
这款1200 V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 8 mΩ G1 H桥模块,带 NTC温度传感器,采用PressFIT压接技术和氮化铝陶瓷材料。

特征描述:
  • 出色封装,高度达12 mm
  • 先进的宽禁带(WBG)半导体材料
  • 非常低的模块杂散电感
  • 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET
  • 更大的栅极驱动电压范围
  • 栅源电压:+23 V和-10 V
  • 工作结温(Tvjop):过载条件下高达175°C
  • PressFIT压接引脚
  • 集成了NTC温度传感器

优势
  • 优异的模块效率
  • 系统成本优势
  • 提升系统效率
  • 降低散热需求
  • 可实现更高的频率
  • 提高功率密度

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