供求英飞凌 F4-8MR12W2M1H-B70, F4-8MR12W2M1H 碳化硅 MOSFET 模块

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深圳市明佳达电子供应及求购英飞凌 F4-8MR12W2M1H-B70, F4-8MR12W2M1H 碳化硅 MOSFET 模块

描述：
这款1200 V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 8 mΩ G1 H桥模块，带 NTC温度传感器，采用PressFIT压接技术和氮化铝陶瓷材料。

特征描述：

• 出色封装，高度达12 mm
• 先进的宽禁带（WBG）半导体材料
• 非常低的模块杂散电感
• 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET
• 更大的栅极驱动电压范围
• 栅源电压：+23 V和-10 V
• 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C
• PressFIT压接引脚
• 集成了NTC温度传感器
  

优势

• 优异的模块效率
• 系统成本优势
• 提升系统效率
• 降低散热需求
• 可实现更高的频率
• 提高功率密度