IC：STM32H750IBK6 微控制器，BSB056N10NN3G（晶体管）NVTFS027N10MCLTAG

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
[元器件] STM32H750IBK6 微控制器，BSB056N10NN3G（晶体管）NVTFS027N10MCLTAG（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


STM32H750IBK6：Arm® Cortex®-M7 32位单核微控制器
型号：STM32H750IBK6
类型：嵌入式 - 微控制器
产品说明：STM32H750IBK6 基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达400MHz。
产品属性：
核心处理器：ARM® Cortex®-M7
内核规格：32 位单核
速度：480MHz
I/O 数：140
程序存储容量：128KB（128K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：1M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.62V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 36x16b; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：176+25UFBGA（10x10）
封装/外壳：201-UFBGA

BSB056N10NN3G：100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管
型号：BSB056N10NN3G
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），78W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳：3-WDSON



NVTFS027N10MCLTAG：100V N通道  8-WDFN（3.3x3.3）表面贴装型
型号：NVTFS027N10MCLTAG
类型：MOSFET 晶体管
产品说明：NVTFS027N10MCLTAG 是 100V 单N通道功率MOSFET晶体管，采用 8-PowerWDFN 封装。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 38µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN


明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：STM32H750IBK6 微控制器，BSB056N10NN3G（晶体管）NVTFS027N10MCLTAG，有意者欢迎随时联络我们！