中尉 
 
 
  
- 注册时间
 - 2020-6-1
  
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深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件! 
[元器件] AONS36348(晶体管)AONS62922,ADM3057EBRWZ [CAN 收发器](供应,回收) 
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准! 
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们! 
 
一、AONS36348:表面贴装型 N通道 30V 8-DFN 晶体管 
型号:AONS36348 
封装:8-DFN 
类型:N通道MOSFET晶体管 
AONS36348 是 30V N通道MOSFET晶体管,低栅极电荷, 高电流能力,表面贴装型。 
产品属性: 
FET 类型:N 通道 
技术:MOSFET(金属氧化物) 
漏源电压(Vdss):30 V 
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Ta),50A(Tc) 
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V 
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA 
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20 nC @ 10 V 
Vgs(最大值):±20V 
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 15 V 
功率耗散(最大值):6.2W(Ta),26W(Tc) 
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
安装类型:表面贴装型 
供应商器件封装:8-DFN(5x6) 
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 
 
二、AONS62922:MOSFET N通道 120V 85A 8-DFN 晶体管 
型号:AONS62922 
封装:8-DFN 
类型:MOSFET晶体管 
AONS62922 是一款次级同步整流MOS管,耐压120V,两颗并联。 
产品属性: 
晶体管类型 :N通道 
功率耗散 :215W 
充电电量 :46nC 
栅极源极击穿电压 :±20V 
击穿电压 :120V 
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) :7.1mΩ 
漏源电压(Vdss) :120V 
连续漏极电流 :85A 
工作温度 :-55℃~+150℃ 
安装类型 :表面贴装型 
封装/外壳 :8-DFN(5x6) 
 
三、ADM3057EBRWZ:隔离式 1/1  CAN 收发器 20-SOIC 
型号:ADM3057EBRWZ 
封装:20-SOIC 
类型:CAN 收发器 
ADM3057EBRWZ 是隔离型控制器局域网 (CAN) 物理层收发器,集成了隔离型DC-DC转换器。 
产品属性: 
类型:收发器,隔离式 
协议:CANbus 
驱动器/接收器数:1/1 
数据速率:12Mbps 
电压 - 供电:0.5V ~ 6V 
工作温度:-40°C ~ 105°C 
安装类型:表面贴装型 
封装/外壳:20-SOIC 
 
明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件:AONS36348(晶体管)AONS62922,ADM3057EBRWZ [CAN 收发器],有意者欢迎随时联络我们! 
 
 
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