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供求TRENCHSTOP™ IGBT:IGP30N65H5XKSA1、IGW30N60H3FKSA1绝缘栅晶体管

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发表于 2024-3-13 15:16 |显示全部楼层
(明佳达)(星际金华)供求TRENCHSTOP™ IGBT:IGP30N65H5XKSA1、IGW30N60H3FKSA1绝缘栅晶体管,价格优于同行,如有需要,欢迎联系陈先生洽谈:qq 1668527835,或者把库存清单直接发送到:chen13410018555@163.com 邮箱上,等待专业评估人员估价后回信。

1、IGP30N65H5XKSA1 IGBT 单管 650V 55A 188W 通孔 PG-TO220-3
新型的TRENCHSTOP™5 IGBT 技术在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能,重新界定了“业界卓著”IGBT。该新系列是IGBT 创新的一个重大突破,以满足市场未来对高效率的需求。
器件参数
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值:188 W
开关能量:280µJ(开),100µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:70 nC
25°C 时 Td(开/关)值:19ns/177ns
测试条件:400V,15A,23 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:PG-TO220-3
基本产品编号:IGP30N65

2、IGW30N60H3FKSA1 IGBT 沟槽型场截止 600V 通孔 PG-TO247-3-1
描述:采用TO247封装的高速单通道TRENCHSTOP™3 IGBT在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳平衡。该系列的主要特点是类似MOSFET的关断开关行为,从而降低关断损耗。
器件参数
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值:187 W
开关能量:1.38mJ
输入类型:标准
栅极电荷:165 nC
25°C 时 Td(开/关)值:21ns/207ns
测试条件:400V,30A,10.5 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3-1
基本产品编号:IGW30N

明佳达电子/星际金华实业有限公司 qq 1668527835
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