具有低开关损耗，GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半桥模块

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简介
GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结壳热阻以及非常坚固和易于安装的特点。这些模块具有开尔文基准电压源，可稳定工作。GCMX模块在175°C结温下工作，符合RoHS标准。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。


器件：GCMX005A120S7B1
类型：分立半导体模块
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 个 N 通道（半桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：348A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7mOhm @ 200A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：978nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：29300pF @ 800V
功率 - 最大值：1.042kW（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块

深圳市明佳达电子、星际金华（供应且回收）GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半桥模块，如有兴趣，欢迎致电连休陈先生qq 1668527835 咨询。

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