供求氮化镓 IGOT60R070D1AUMA1/IGO60R070D1AU 600V 增强型功率晶体管

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深圳市明佳达电子有限公司供应及求购供求氮化镓 IGOT60R070D1AUMA1/IGO60R070D1AU 600V CoolGaN™ 增强型功率晶体管


描述
英飞凌科技CoolGan™ 600V增强模式 (e-Mode) 功率晶体管可实现更简单的半桥拓扑，具有快速导通和关断速度。该款坚固可靠的晶体管采用高性能 SMD封装，可充分利用GaN的优势。该晶体管具有高效率、高功率密度、更高的工作频率能力和更低的EMI。应用包括电信/数据通信/服务器SMPS、无线充电、充电器和适配器。



供求型号：IGOT60R070D1AUMA1/IGO60R070D1AU
产品种类:        MOSFET       
技术:        GaN       
安装风格:        SMD/SMT       
封装 / 箱体:        DSO-20       
晶体管极性:        N-Channel       
通道数量:        1 Channel       
Vds-漏源极击穿电压:        600 V       
Id-连续漏极电流:        31 A       
Rds On-漏源导通电阻:        70 mOhms       
Vgs - 栅极-源极电压:        - 10 V, + 10 V       
Vgs th-栅源极阈值电压:        900 mV       
Qg-栅极电荷:        5.8 nC       
最小工作温度:        - 55 C       
最大工作温度:        + 150 C       
Pd-功率耗散:        125 W       
通道模式:        Enhancement       
商标名:        CoolGaN       
配置:        Single       
下降时间:        13 ns       
湿度敏感性:        Yes       
产品:        CoolGaN       
产品类型:        MOSFET       
上升时间:        9 ns       
工厂包装数量: 800       
子类别:        MOSFETs       
晶体管类型:        1 N-Channel       
典型关闭延迟时间:        15 ns       
典型接通延迟时间:        15 ns       
单位重量:        2.077 g


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