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IGLD60R190D1AUMA1,IGLD60R070D1AUMA3,IGT60R190D1SATMA1 [MOSFET晶体管]

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发表于 2024-3-2 10:46 |显示全部楼层
本帖最后由 mjddz 于 2024-3-2 10:47 编辑

明佳达电子,星际金华(供应,回收)原装库存器件:IGLD60R190D1AUMA1,IGLD60R070D1AUMA3,IGT60R190D1SATMA1 [MOSFET晶体管]。

IGLD60R190D1AUMA1:600V 10A N通道晶体管
型号:IGLD60R190D1AUMA1
封装:8-LDFN
类型:MOSFET 晶体管
IGLD60R190D1AUMA1 产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1,6V @ 960µA
Vgs(最大值):-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):157 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-LSON-8-1
封装/外壳:8-LDFN 裸焊盘


IGLD60R070D1AUMA3:600V 15A N通道晶体管 表面贴装型
型号:IGLD60R070D1AUMA3
封装:8-LDFN
类型:N通道晶体管
IGLD60R070D1AUMA3 产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1,6V @ 2,6mA
Vgs(最大值):-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):380 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):114W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-LSON-8-1
封装/外壳:8-LDFN 裸焊盘

IGT60R190D1SATMA1: 600V MOSFET晶体管 表面贴装型
型号:IGT60R190D1SATMA1
封装:HSOF-8
类型:MOSFET晶体管
IGT60R190D1SATMA1 产品属性:
技术:GaN        
安装风格:SMD/SMT        
封装 / 箱体:HSOF-8        
晶体管极性:N 通道        
通道数量:1 通道
Vds-漏源极击穿电压:600 V        
Id-连续漏极电流:12.5 A        
Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms        
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V        
Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV        
Qg-栅极电荷:3.2 nC        
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+150°C
Pd-功率耗散:55.5 W

深圳市明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装库存器件!
【供求】 IGLD60R190D1AUMA1,IGLD60R070D1AUMA3,IGT60R190D1SATMA1 [MOSFET晶体管](供应,求购)
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!

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