[供求] IPLU300N04S41R1 晶体管 IRFP4668PBF，ISL9538CHRTZ 电池充电器

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深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！

[元器件] IPLU300N04S41R1，IRFP4668PBF，ISL9538CHRTZ（供应，求购）

【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！

【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

IPLU300N04S41R1：40V300A MOSFET N通道晶体管

型号：IPLU300N04S41R1

封装：8-PowerSFN

类型：MOSFET 晶体管

IPLU300N04S41R1 是40V、最大 1.15 mΩ、OptiMOS™-T2 汽车MOSFET N 沟道晶体管。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.15 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 125µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：151 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12090 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerSFN

  

IRFP4668PBF：200V130A 单N通道 MOSFET 晶体管

型号：IRFP4668PBF

封装：TO-247-3

类型：MOSFET 晶体管

IRFP4668PBF 是 200V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-247 封装。

产品属性：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 81A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：241 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10720 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：520W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247AC

封装/外壳：TO-247-3

ISL9538CHRTZ：带SMBus接口的降压-升压型窄VDC电池充电器IC

型号：ISL9538CHRTZ

封装：TQFN-32

类型：电池充电器

ISL9538CHRTZ是一款升降压窄输出电压直流（NVDC）充电器。

产品属性：

电池化学成份：锂离子/聚合物

电池数：2 ~ 4

电流 - 充电：恒流 - 可编程

可编程特性：电流

故障保护：过流，超温

电池组电压：2.4V ~ 18.304V

电压 - 供电（最高）：23.4V

接口：I²C，SMBus，USB

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：32-WFQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：32-TQFN（4x4）