EG25GGB-MINIPCIE具有广泛的互联网协议、NVTFWS9D6P04M8LTAG功率MOSFET

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1、EG25GGB-MINIPCIE是一款 LTE 类别 4 模块，采用标准 PCI Express® Mini Card 外形，尺寸为 51.0mm x 30.0mm x 4.9mm，符合 3GPP Release 11 标准。
说明：
EG25-G Mini PCIe 在 LTE 下提供 150Mbps 的最大下行链路速率和 50Mbps 的上行链路速率，支持一系列需要快速可靠地传输大量数据的应用，并向后兼容现有的 EDGE 和 GSM/GPRS 网络，即使在没有 3G 或 4G 覆盖的偏远地区也能确保连接。此外，多输入多输出（MIMO）技术可满足对数据传输速率和链路可靠性的要求。

EG25-G Mini PCIe 支持高通 IZat Gen8C Lite 定位技术（GPS、GLONASS、北斗/指南针、伽利略和 QZSS），可选的多星座 GNSS 接收器大大简化了产品设计，并提供更快、更准、更可靠的定位。广泛的互联网协议、工业标准接口和功能（如适用于 Windows 7/8/8.1/10/11、Linux、Android 和 eCall 的 USB 串行驱动程序）使该模块能够服务于广泛的物联网应用，如工业路由器、工业 PDA、坚固耐用的平板电脑和数字标牌。


主要功能：
全球 LTE、UMTS/HSPA+ 和 GSM/GPRS/EDGE 覆盖范围
支持 MIMO
支持 DFOTA 和 DTMF
提供多星座 GNSS 接收器
USB 2.0 高速接口



2、NVTFWS9D6P04M8LTAG 单 P 沟道，-40 V, 9.5 mΩ, -64 A 功率 MOSFET

FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 580µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：34.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2312 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），75W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
基本产品编号：NVTFWS9

介绍

NVTFWS9D6P04M8LTAG P沟道MOSFET是-40V、-64A单P沟道功率MOSFET，具有低RDS(on) 值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。该 MOSFET具有3.3mm × 3.3mm的小尺寸，设计紧凑。MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能 典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。

（供应、回收）EG25GGB-MINIPCIE具有广泛的互联网协议、NVTFWS9D6P04M8LTAG功率MOSFET，如有需求，请联系明佳达电子陈先生qq 1668527835 咨询。