60V（汽车应用）NVMFS5C604NT1G、NVMFS5C604NLWFT1G功率 MOSFET

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1、介绍
NVMFS5C604N、NVMFS5C604NL是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。



2、应用
反向电池保护
开关电源
电源开关（高端驱动器、低端驱动器、H桥等）




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1、NVMFS5C604NT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，288A，1.2mΩ
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta），287A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6400 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），200W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线



2、NVMFS5C604NLWFT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，287A，1.2mΩ
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta），287A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8900 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），200W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线