供求650V、RGW40TS65GC11、RGW40TK65GVC11、RGW50TS65DGC11场终止沟槽型IGBT

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描述：RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。



1、RGW40TS65GC11 650V场终止沟槽型IGBT 40A TO247N
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，20A
功率 - 最大值：136 W
开关能量：330μJ（开），300μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：59 nC
25°C 时 Td（开/关）值：33ns/76ns
测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

2、RGW40TK65GVC11 IGBT 沟槽型场截止 650V 27A TO3PFM
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：27 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，20A
功率 - 最大值：61 W
开关能量：330μJ（开），300μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：59 nC
25°C 时 Td（开/关）值：33ns/76ns
测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3

3、RGW50TS65DGC11 IGBT 沟槽型场截止 650V 通孔 TO-247N
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值：156 W
开关能量：390μJ（开），430μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：73 nC
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/102ns
测试条件：400V，25A，10欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3