N通道晶体管 BSC040N10NS5SC，IPT60R050G7，IPTG007N06NM5（供求）

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深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
【供应，求购】晶体管：BSC040N10NS5SC，IPT60R050G7，IPTG007N06NM5。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


BSC040N10NS5SC是100V 功率MOSFET晶体管，采用 SuperSO8 DSC（双面冷却）封装，具有双面冷却解决方案的所有热管理优势，并具有行业标准的基底面。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），167W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-WSON-8-2
封装/外壳：8-PowerWDFN


IPT60R050G7：表面贴装型 N通道晶体管 600V 44A（Tc） 245W（Tc） PG-HSOF-8-2
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc）
功率耗散（最大值）：245W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-2
封装/外壳：8-PowerSFN


IPTG007N06NM5：表面贴装型 N通道晶体管 60V PG-HSOG-8-1
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：53A（Ta），454A（Tc）
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOG-8-1
封装/外壳：8-PowerSMD，鸥翼