80V至100V（TO220）IPP082N10NF2S、IPP040N08NF2S、IPP019N08NF2S N通道功率MOSFET

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明佳达电子有限公司、星际金华（回收且供应）80V至100V（TO220）IPP082N10NF2S、IPP040N08NF2S、IPP019N08NF2S N通道功率MOSFET，陈先生qq 1668527835 如有需要欢迎联系洽谈。



1、IPP082N10NF2S 通孔 N 通道 100V PG-TO220-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 46μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），100W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3
封装/外壳：TO-220-3
基本产品编号：IPP082N



2、IPP040N08NF2S 通孔 N 通道 80V PG-TO220-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 85μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3800 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3
封装/外壳：TO-220-3
基本产品编号：IPP040N



3、IPP019N08NF2S 采用TO220封装的StrongIRFET™2 80V 单N通道功率MOSFET器件
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），191A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 194μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8700 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），250W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3
封装/外壳：TO-220-3
基本产品编号：IPP019N

（说明）StrongIRFET™ 2系列，采用新一代功率MOSFET技术，可满足开关电源、 电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。


主要特点
分销合作伙伴可选范围广
出色的性价比
高开关频率和低开关频率的理想选择
符合行业标准的封装
高电流额定值