（TO220）IPP040N06NF2S、IPP030N06NF2S、IPP019N06NF2S 60V功率MOSFET

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深圳市明佳达电子有限公司/星际金华供应、回收（TO220）IPP040N06NF2S、IPP030N06NF2S、IPP019N06NF2S 60V功率MOSFET，实单价优，如有需要请联系陈先生qq 1668527835 咨询详谈。


1、IPP040N06NF2S 通孔 N 通道 60V 80A PG-TO220-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3375 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），107W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3




2、IPP030N06NF2S MOSFET N通道 60V PG-TO220-3-U05
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），119A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.05 毫欧 @ 70A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 80μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4600 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3-U05
封装/外壳：TO-220-3



3、IPP019N06NF2S 功率MOSFET 60V N-CH PG-TO220-3-U05
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Ta），185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 129μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：162 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），188W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3-U05
封装/外壳：TO-220-3

（介绍）采用TO-220 封装的 StrongIRFET™ 2 功率MOSFET 60V 针对各种应用进行了优化，例如 SMPS、电机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动汽车。

主要特点
分销合作伙伴可选范围广
出色的性价比
高开关频率和低开关频率的理想选择
符合行业标准的封装
高电流额定值

主要优点
供应保障增强
产品合适支持多种应用
标准引脚允许直接替换
提高了产品耐用性