N 通道BUK9M20-60ELX、BUK9M67-60ELX（60V）LFPAK33表面贴装

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说明：
BUK9Mx车用ASFET（面向安全气囊应用）与标准DPAK封装相比，可节省空间（LFPAK56为53%，LFPAK33为84%）。ASFET符合AEC-Q101标准，在部署安全气囊条件下能够可靠运行。这些应用专用MOSFET (ASFET) 可满足安全气囊应用的特殊需求，专注于增强安全工作区 (SOA) 性能，改进线性模式。

1、BUK9M20-60ELX 表面贴装型 N 通道 60 V 40A（Ta） 79.4W（Tc） LFPAK33
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2941 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：79.4W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK33
封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）


2、BUK9M67-60ELX 表面贴装型 N 通道 60 V 20A（Ta） 45W（Ta） LFPAK33
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：43.8 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：915 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：45W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK33
封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）


深圳市明佳达电子有限公司/星际金华（回收、供应）N 通道BUK9M20-60ELX、BUK9M67-60ELX（60V）LFPAK33表面贴装车规级MOSFET器件
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