碳化硅（650V）N 通道NTBG060N065SC1、NTBG025N065SC1采用 D2PAK-7L封装

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深圳市明佳达电子有限公司/星际金华（回收、供应）碳化硅（650V）N 通道NTBG060N065SC1、NTBG025N065SC1功率MOSFET器件，有意者欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询洽谈，或把库存清单直接发送到：chen13410018555@163.com 邮箱上，我们收到后会尽力与您取得联络。

1、NTBG060N065SC1（650V）碳化硅MOSFET采用 D2PAK-7L封装，设计快速坚固。该MOSFET器件具有10倍介电击穿场强度和2倍电子饱和速度。
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 6.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1473 pF @ 325 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：170W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK-7
封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
2、NTBG025N065SC1器件是一款650V、106A 碳化硅MOSFET器件。该碳化硅MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车应用并符合其相关要求。
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28.5 毫欧 @ 45A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 15.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：164 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 325 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK-7
封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA