IGBT晶体管IXYP60N65A5（650V）IXXX140N65B4H1、IXYH16N250CV1HV 2500V

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明佳达电子/星际金华（供应、回收）IGBT晶体管IXYP60N65A5（650V）IXXX140N65B4H1、IXYH16N250CV1HV 2500V，如有需求，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询洽谈。


1、650V IXYP60N65A5 XPT™ GenX5™沟槽式IGBT采用专有的XPT薄景园技术和先进的第5代 (GenX5) 沟槽式IGBT工艺研发而成。该器件具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。 XPT GenX5沟槽式IGBT具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)，击穿电压高达650V，因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。

IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：134 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：260 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.35V @ 15V，36A
功率 - 最大值：395 W
开关能量：600μJ（开），1.45mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：128 nC
25°C 时 Td（开/关）值：28ns/230ns
测试条件：400V，36A，5 欧姆，15V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220（IXYP）
基本产品编号：IXYP60



2、IXXX140N65B4H1沟槽型 650V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：340 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：840 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，120A
功率 - 最大值：1200 W
开关能量：5.75mJ（开），2.67mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：250 nC
25°C 时 Td（开/关）值：54ns/270ns
测试条件：400V，100A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：105 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3 变式
供应商器件封装：PLUS247™-3
基本产品编号：IXXX140



3、IXYH16N250CV1HV器件是一款2500V  35A的IGBT晶体管，具有高阻断电压、高峰值电流能力和低饱和电压的特点。该IGBT还具有低栅极驱动要求、高功率密度的优势，典型应用包括：开关模式和谐振模式电源、不间断电源(UPS)、激光发生器、电容放电电路、交流交换机。

电压 - 集射极击穿（最大值）：2500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：126 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：4V @ 15V，16A
功率 - 最大值：500 W
开关能量：4.75mJ（开），3.9mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：97 nC
25°C 时 Td（开/关）值：14ns/260ns
测试条件：1250V，16A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：19 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247（IXYH）
基本产品编号：IXYH16

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