（回收，供应）LPC1788FBD144，LPC1518JBD100E，LPC4330FET100 高性能MCU

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
（供求器件）LPC1788FBD144，LPC1518JBD100E，LPC4330FET100。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

一、LPC1788FBD144：ARM® Cortex®-M3 LPC17xx微控制器IC 32位单核120MHz
型号：LPC1788FBD144
封装：LQFP144
类型：32位单核120MHz微控制器IC
LPC1788FBD144 产品特征：
ARM Cortex-M3处理器，运行频率高达 120 MHz。
包括一个支持八个区域的内存保护单元（MPU）。
ARM Cortex-M3内置嵌套的矢量中断控制器（NVIC）。
嵌入式Trace Macrocell（ETM）模块支持实时跟踪。
边界扫描用于简化电路板测试。
无任务中断（NMI）输入。
高达96 kB的片上SRAM
高达4032字节的片上EEPROM。
专门的DMA控制器。
可选择的显示分辨率（最高为1024 x 768像素）。
支持高达24位真彩色模式。
高达512 kB的片上闪存，具有系统内编程（ISP）和应用内编程（IAP）功能。

二、LPC1518JBD100E：ARM® Cortex®-M3 LPC15xx微控制器IC 32位单核72MHz
型号：LPC1518JBD100E
封装：LQFP100
类型：32位单核72MHz微控制器IC
LPC1518JBD100E 产品特征：
ARM Cortex-M3处理器，运行频率高达72 MHz。
ARM Cortex-M3内置嵌套的矢量中断控制器（NVIC）。
串行线调试（SWD），有四个断点和两个观察点。
支持单周期乘法器。
包括内存保护单元（MPU）。
多达36 kB的SRAM。
4 kB EEPROM。
高达256 kB的片上Flash编程存储器，具有256字节的页面写入和擦除功能。

三、LPC4330FET100：ARM® Cortex®-M4/M0 LPC43xx微控制器IC 32位双核204MHz
型号：LPC4330FET100
封装：100-TFBGA
类型：32位双核204MHz微控制器IC
LPC4330FET100 产品特征：
ARM Cortex-M4处理器，运行频率高达 204 MHz。
高达264 kB的SRAM，用于代码和数据。
多个SRAM块具有独立的总线访问。两个SRAM块可以单独断电。
64 kB ROM，包含启动代码和片上软件驱动程序。
64位+256位通用的一次性可编程（OTP）存储器。
晶体振荡器，工作范围为1MHz至25MHz。
超低功率实时时钟（RTC）晶体振荡器
一个标准的I2C总线接口，具有监控模式和标准I/O引脚。
两个I2S接口，每个都支持DMA，有一个输入和一个输出。