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供求英飞凌 F423MR12W1M1B11BOMA1/FF23MR12W1M1PB11BPSA1 碳化硅 MOSFET 模块

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[LV.200]无线新星
发表于 2023-5-22 11:55 |显示全部楼层
深圳明佳达电子公司(供应,求购英飞凌)F423MR12W1M1B11BOMA1/FF23MR12W1M1PB11BPSA1 碳化硅 MOSFET 模块,长期高价现金回收个人库存、工厂库存、海关扣押等电子呆料,正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等,有需求的朋友请致电联系!

产品详情
F423MR12W1M1B11BOMA1:是1200 V、23 mΩ四单元 EasyPACK™ 1B模块,采用CoolSiC™ MOSFET和PressFIT压接技术,以及预涂热界面材料,,模块内集成有NTC。

属性
系列: EasyPACK™   
IGBT 类型: 沟道  
配置 全桥  
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V  
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A  
功率 - 最大值:20 mW  
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -  
不同 Vce 时输入电容 (Cies) :3.68 nF @ 800 V  
输入: 标准  
NTC 热敏电阻: 是  
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)  
安装类型: 底座安装  
封装/外壳:模块  
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2

特征描述
高电流密度
业内最佳开关和导通损耗
低杂散电感设计
集成NTC温度传感器
PressFIT压接技术
符合RoHS标准

FF23MR12W1M1PB11BPSA1:EasyDUAL™ 1B 1200 V / 23 mΩ 半桥模块,采用 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度检测、PressFIT压接技术和预涂热界面材料。

产品属性
系列: CoolSiC™+  
IGBT 类型: 沟道  
配置: 2 个独立式  
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V  
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A  
功率 - 最大值 :20 mW  
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -  
不同 Vce 时输入电容 (Cies) :3.68 nF @ 800 V  
输入: 标准  
NTC 热敏电阻: 是  
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)  
安装类型: 底座安装  
封装/外壳:模块  
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2

应用领域
不间断电源(UPS)
太阳能系统解决方案

联系方式:
QQ:1668527835
电话:13410018555
邮箱:sales@hkmjd.com
公司网址:www.hkmjd.com


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