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供求英飞凌 F423MR12W1M1B11BOMA1/FF23MR12W1M1PB11BPSA1 碳化硅 MOSFET 模块

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    发表于 2023-5-22 11:55 |显示全部楼层
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    深圳明佳达电子公司(供应,求购英飞凌)F423MR12W1M1B11BOMA1/FF23MR12W1M1PB11BPSA1 碳化硅 MOSFET 模块,长期高价现金回收个人库存、工厂库存、海关扣押等电子呆料,正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等,有需求的朋友请致电联系!

    产品详情
    F423MR12W1M1B11BOMA1:是1200 V、23 mΩ四单元 EasyPACK™ 1B模块,采用CoolSiC™ MOSFET和PressFIT压接技术,以及预涂热界面材料,,模块内集成有NTC。

    属性
    系列: EasyPACK™   
    IGBT 类型: 沟道  
    配置 全桥  
    电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V  
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A  
    功率 - 最大值:20 mW  
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -  
    不同 Vce 时输入电容 (Cies) :3.68 nF @ 800 V  
    输入: 标准  
    NTC 热敏电阻: 是  
    工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)  
    安装类型: 底座安装  
    封装/外壳:模块  
    供应商器件封装: AG-EASY1BM-2

    特征描述
    高电流密度
    业内最佳开关和导通损耗
    低杂散电感设计
    集成NTC温度传感器
    PressFIT压接技术
    符合RoHS标准

    FF23MR12W1M1PB11BPSA1:EasyDUAL™ 1B 1200 V / 23 mΩ 半桥模块,采用 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度检测、PressFIT压接技术和预涂热界面材料。

    产品属性
    系列: CoolSiC™+  
    IGBT 类型: 沟道  
    配置: 2 个独立式  
    电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V  
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A  
    功率 - 最大值 :20 mW  
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -  
    不同 Vce 时输入电容 (Cies) :3.68 nF @ 800 V  
    输入: 标准  
    NTC 热敏电阻: 是  
    工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)  
    安装类型: 底座安装  
    封装/外壳:模块  
    供应商器件封装: AG-EASY1BM-2

    应用领域
    不间断电源(UPS)
    太阳能系统解决方案

    联系方式:
    QQ:1668527835
    电话:13410018555
    邮箱:sales@hkmjd.com
    公司网址:www.hkmjd.com


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