STPSC20H12G-TR（碳化硅）STPSC40H12CWL二极管阵列 - 肖特基

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（回收/供应）STPSC20H12G-TR、STPSC40H12CWL 肖特基碳化硅二极管
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1、STPSC20H12G-TR 肖特基碳化硅二极管 DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
二极管类型：碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)：20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 20 A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：120 μA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容：1650pF @ 0V，1MHz
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK
工作温度 - 结：-40°C ~ 175°C
基本产品编号：STPSC20


2、STPSC40H12CWL二极管阵列 DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：38A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 20 A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：120 μA @ 1200 V
工作温度 - 结：-40°C ~ 175°C
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3
基本产品编号：STPSC40




产品概述
1、STPSC20H12G萧特基碳化硅二极管利用SiC优于标准硅的卓越物理特性，提供高出4倍的动态特性并降低15%的正向电压 (VF) 。ST的碳化硅二极管拥有低反向恢复特性，因此成为了SMPS应用和其他新兴领域的关键节能因素。这些领域包括太阳能转换、EV或HEV充电站，以及焊接设备和空调等应用。STMicroelectronics SiC产品组合在原有的4至12安培通孔和SMD封装产品阵容中，加入了20A、600V二极管，采用不含卤素的TO-247封装。另外亦提供下一代6A、1200V器件及650V系列。
2、STPSC40H12CWL 1200V肖特基碳化硅二极管是一款专门设计用于光伏逆变器的高性能整流器。STPSC能够在高频率下工作，具有低开关损耗和不受温度影响的超快速开关，因此有助于将逆变器产量提高最多2％。与双极二极管相比，SiC二极管产生的损耗降低了70％。坚固的外设提高了交流线路浪涌电压下的整个转换器的性能。DPAK封装的中心引线已去除，以满足IEC60664和UL 840标准对更高电压的要求。得益于这些特性，该器件成为同类最佳的1200V二极管。

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