英飞凌1700V CoolSiC（IMBF170R1K0M1/IMBF170R1K0M1XTMA1）沟槽型碳化硅MOSFET

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明佳达，星际金华公司供求英飞凌1700V CoolSiC（IMBF170R1K0M1/IMBF170R1K0M1XTMA1）沟槽型碳化硅MOSFET


型号：IMBF170R1K0M1/IMBF170R1K0M1XTMA1
品牌：INFINEON
年份：21+
封装：TO-263-7



IMBF170R1K0M1 采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。



特征描述
针对反激式拓扑结构进行了优化
开关损耗极低
兼容反激式控制器的12 V / 0 V栅源电压
完全可控的dV/dt，针对EMI进行优化
SMD（表面贴装）封装具有增大的爬电距离和电气间隙（> 7 mm）

应用领域
储能系统
电动汽车快速充电
电源
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案



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