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产品概述
LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能,让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。还具有超低输入和输出电容、零反向恢复(可将开关损耗降低高达80%)以及低开关节点振铃(降低EMI )。这些特性支持高密度、高效拓扑结构。
LMG341xR150的一系列独特的特性可简化设计,最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能,是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。
应用
工业交流-直流电源
笔记本电脑电源适配器
LED标牌
伺服驱动功率级
深圳市明佳达电子/星际金华(回收、供应)LMG3411R150RWHR,LMG3410R150RWHR GaN FET集成驱动器,如您有库存要出售,请和我们联系。
规格信息
参数:LMG3411R150RWHR 、LMG3410R150RWHR
类型:PMIC - 配电开关,负载驱动器
开关类型:负载开关
输出数:1
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:高端
输出类型:N 通道
接口:逻辑,PWM
电压 - 负载:480V(最大)
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
电流 - 输出(最大值):6A
导通电阻(典型值):150 毫欧
输入类型:非反相
特性:自举电路,5V 稳压输出
故障保护:过流,超温,UVLO
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:32-VQFN(8x8)
封装/外壳:32-VQFN 裸露焊盘
基本产品编号:LMG3411R150,LMG3410R150
注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!
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