英飞凌IMW120R040M1H、IMW120R040M1HXKSA1 1200V 沟槽型碳化硅MOSFET

mingjiada

型号：IMW120R040M1H、IMW120R040M1HXKSA1
封装：TO-247-3
批号：最新21+

采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

规格

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 55A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 54.4 毫欧 @ 19.3A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 10mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 227W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 PG-TO247-3  

封装/外壳 TO-247-3

优势

最高效率

减少冷却工作

更高频率的运行

增加功率密度

降低系统的复杂程度

应用领域

不间断电源（UPS）

电池化成

电动汽车快速充电

电机控制和驱动

太阳能系统解决方案

明佳达供应和回收英飞凌碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs《IMW120R040M1H、IMW120R040M1HXKSA1》1200V 沟槽型，全新原装，价格优势，工厂库存出售，质量有保证，实单有接受价可详谈，报价请以当天为准，感兴趣请联系陈先生qq1668527835，电话13410018555！！！

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公司网站：www.hkmjd.com