供求（1200V）IMZ120R140M1H / IMZ120R140M1HXKSA1 沟槽式碳化硅MOSFET单管

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供求（1200V）IMZ120R140M1H / IMZ120R140M1HXKSA1  CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET单管

型号：IMZ120R140M1H / IMZ120R140M1HXKSA1
封装：TO247-4
类型：采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET单管

描述：
IMZ120R140M1H / IMZ120R140M1HXKSA1 是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。


特征：
一流的开关和导通损耗
基准高阈值电压，Vth > 4 V
0V关断栅极电压，简单轻松地进行栅极驱动
栅源电压范围宽
损耗低且牢固的体二极管，可用于硬换向
开关关断损耗不受温度影响
驱动源引脚，优化开关性能


深圳市明佳达电子，星际金华公司 供求 IMZ120R140M1H / IMZ120R140M1HXKSA1。
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