晶体管 IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）碳化硅MOSFET分立器件

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晶体管 IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）碳化硅MOSFET分立器件
说明：CoolSiC 1200 V、220 mΩ SiC MOSFET 采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装，采用最先进的沟槽半导体工艺，经过优化，将性能与运行可靠性相结合。


型号：IMBG120R220M1H / IMBG120R220M1HXTMA1 【供应/求购】
封装：TO-263-7
类型：碳化硅MOSFET分立器件 - 晶体管，采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC 1200 V SiC 沟槽 MOSFET。


规格：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：294 毫欧 @ 4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9.4 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：312 pF @ 800 V
FET 功能：标准
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-12
封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA


特征：
非常低的开关损耗
短路耐受时间，3 us
完全可控的 dV/dt
基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
抗寄生导通的鲁棒性，可施加 0 V 关断栅极电压
用于硬换向的坚固体二极管
XT 互连技术可实现一流的热性能
封装爬电距离和电气间隙，> 6.1 mm
用于优化开关性能的检测引脚


优势：
效率提升
启用更高频率
增加功率密度
减少制冷量
降低系统复杂性和成本
SMD 封装可直接集成到 PCB 中，自然对流冷却，无需额外的散热器


【供应/求购】QQ：1668527835   明佳达电子www.hkmjd.com
深圳市明佳达电子，星际金华公司 供求 晶体管 IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）碳化硅MOSFET分立器件。
【供应】公司只做原装，质量保证，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！
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