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VNLD5090TR(驱动器)AUIRF8739L2TR 汽车用MOSFET

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发表于 2022-7-20 11:26 |显示全部楼层
概述
1、VNLD5090-E 用于驱动一侧连接到电池的电阻或电感负载。 内置热关断功能可保护芯片免受过热和短路的影响。 输出电流限制可在过载情况下保护设备。 在长时间过载的情况下,器件将耗散功率限制在安全水平,直至热关断干预。热关断,具有自动重启功能,允许器件在故障情况消失后立即恢复正常运行。 在关断时实现感应负载的快速退磁。
2、AUIRF8739L2TR  20V至40V N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准,有多种封装可供选择,包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。这些MOSFET的应用非常广泛,包括EPS电机控制、3相和H桥电机、HVAC风扇控制,以及与PWM控制相结合的电动泵。
技术规格
1、VNLD5090TR(驱动器) IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

开关类型:通用
输出数:2
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:低端
输出类型:N 通道
接口:开/关
电压 - 负载:36V(最大)
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
电流 - 输出(最大值):13A
导通电阻(典型值):90 毫欧(最大)
输入类型:非反相
特性:自动重启,状态标志
故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压,UVLO
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

2、AUIRF8739L2TR 汽车用MOSFET N沟道 57A DIRECTFET

FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A(Ta),545A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.6 毫欧 @ 195A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):562 nC @ 10 V
Vgs(最大值):40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):17890 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),340W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DirectFET 等距 L8

回收和供应 VNLD5090TR(驱动器)AUIRF8739L2TR 汽车用MOSFET ,具体欢迎找工作人员咨询。
深圳市明佳达电子有限公司/深圳市星际金华实业有限公司 陈先生qq 1668527835
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