VNLD5090TR(驱动器)AUIRF8739L2TR 汽车用MOSFET

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概述
1、VNLD5090-E 用于驱动一侧连接到电池的电阻或电感负载。 内置热关断功能可保护芯片免受过热和短路的影响。 输出电流限制可在过载情况下保护设备。 在长时间过载的情况下，器件将耗散功率限制在安全水平，直至热关断干预。热关断，具有自动重启功能，允许器件在故障情况消失后立即恢复正常运行。 在关断时实现感应负载的快速退磁。
2、AUIRF8739L2TR  20V至40V N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准，有多种封装可供选择，包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。这些MOSFET的应用非常广泛，包括EPS电机控制、3相和H桥电机、HVAC风扇控制，以及与PWM控制相结合的电动泵。
技术规格
1、VNLD5090TR(驱动器) IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

开关类型：通用
输出数：2
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：低端
输出类型：N 通道
接口：开/关
电压 - 负载：36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要
电流 - 输出（最大值）：13A
导通电阻（典型值）：90 毫欧（最大）
输入类型：非反相
特性：自动重启，状态标志
故障保护：限流（固定），开路负载检测，超温，过压，UVLO
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

2、AUIRF8739L2TR 汽车用MOSFET N沟道 57A DIRECTFET

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Ta），545A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.6 毫欧 @ 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：562 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17890 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），340W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DirectFET 等距 L8

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