MH481IST，PE42553B-Z，DN3525N8-G 电子器件

mjddz

【供应/求购】
深圳市明佳达电子/星际金华公司 长期供应及回收器件：MH481IST，PE42553B-Z，DN3525N8-G。
有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

【MH481IST】线性霍尔效应IC
工作电压范围：3.0V～6.5V
2.5mA的功耗在5V直流 能源效率
低噪音运行
线性输出电路设计的灵活性
图腾柱的稳定和的输出
响应或正或负高斯
小型封装为SMD
磁性优化的封装为SIP
成本竞争力
强大的ESD性能

【PE42553B-Z】射频开关IC
出色的功率处理能力：36 dBm CW 和 38 dBm 50Ω @ 8 GHz 的脉冲功率
高线性度：IIP3 为 66 dBm
高隔离度
45 dB @ 3 GHz
41 dB @ 8 GHz
HaRP™ 技术增强
快速稳定时间
无栅极和相位滞后
插入损耗和相位没有漂移
高 ESD 性能
所有引脚上的 2.5 kV HBM，RF 引脚上的 4 kV HBM接地
所有引脚上的 1 kV CDM
封装——16 引脚 3 × 3 mm QFN

【DN3525N8-G】MOS场效应管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Tj）
Vgs（最大值）：±20V
FET 功能：耗尽模式
功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳：TO-243AA