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明佳达电子、星际金华回收和供应 DN3525N8-G MOS管 N-CH 250V、PE42553B-Z 射频开关,价格方面请以当天咨询为准,期待您的来电。
产品信息
1、DN3525 是一款低阈值耗尽型(常开)晶体管,采用先进的垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。 这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有 MOS 结构的特性,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。
漏源电压(Vdss):250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 200mA,0V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):350 pF @ 25 V
FET 功能:耗尽模式
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-243AA(SOT-89)
特征
高输入阻抗
低输入电容
快速的开关速度
低导通电阻
无二次故障
低输入和输出泄漏
应用
常开开关、 固态继电器
转换器、 恒流源
电源电路、 电信交换机
2、PE42553B-Z 射频开关是 HaRP 技术器件,设计用于各种开关应用,跨越多个市场,包括无线基础设施、宽带和无线连接。 该器件提供广泛的开关 IC 产品组合,频率范围为 0Hz 至 60GHz,温度范围为 -55°C 至 +125°C。
特征
广泛的产品组合,频率范围为 0Hz 至 60GHz,温度范围为 -55°C 至 +125°C
HaRP 技术增强降低了栅极滞后和插入损耗漂移,是高性能应用的理想选择
在单个芯片上集成射频、模拟和数字功能的单片 CMOS 解决方案
行业领先的射频性能、一流的 ESD 额定值和可靠性
应用
无线基础设施
宽带
无线连接
测试和测量
电路:SPDT
频率范围:9kHz ~ 8GHz
隔离:45dB
插损:0.85dB
测试频率:3GHz
IIP3:66dBm
阻抗:50 欧姆
电压 - 供电:2.3V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C
器件封装:16-QFN(3x3)
回收一系列模组如:5G、新能源、物联网、车联网、车规级、基站、通信、人工智能、射频、家电、晶闸管、医疗、工业、蓝牙5.0、以太网、传感器、光模块、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列模组,由于收购模组广泛,不能一一列举.
公司本着:诚实守信,专业便捷,和客户达成双赢的合作目的欢迎广大商户来电洽谈,如您有多余的库存需要处理,欢迎把库存清单发送到:chen13410018555@163.com 或来电直洽谈。
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