DN3525N8-G N-CH 场效应管,PE42553B-Z 射频开关应用

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明佳达电子、星际金华回收和供应 DN3525N8-G MOS管 N-CH 250V、PE42553B-Z 射频开关，价格方面请以当天咨询为准，期待您的来电。
产品信息
1、DN3525 是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。 这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有 MOS 结构的特性，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。



漏源电压（Vdss）：250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 200mA，0V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：350 pF @ 25 V
FET 功能：耗尽模式
功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：TO-243AA（SOT-89）



特征
高输入阻抗
低输入电容
快速的开关速度
低导通电阻
无二次故障
低输入和输出泄漏


应用
常开开关、    固态继电器
转换器、       恒流源
电源电路、    电信交换机


2、PE42553B-Z 射频开关是 HaRP 技术器件，设计用于各种开关应用，跨越多个市场，包括无线基础设施、宽带和无线连接。 该器件提供广泛的开关 IC 产品组合，频率范围为 0Hz 至 60GHz，温度范围为 -55°C 至 +125°C。
特征
广泛的产品组合，频率范围为 0Hz 至 60GHz，温度范围为 -55°C 至 +125°C
HaRP 技术增强降低了栅极滞后和插入损耗漂移，是高性能应用的理想选择
在单个芯片上集成射频、模拟和数字功能的单片 CMOS 解决方案
行业领先的射频性能、一流的 ESD 额定值和可靠性



应用
无线基础设施
宽带
无线连接
测试和测量


电路：SPDT
频率范围：9kHz ~ 8GHz
隔离：45dB
插损：0.85dB
测试频率：3GHz
IIP3：66dBm
阻抗：50 欧姆
电压 - 供电：2.3V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 85°C
器件封装：16-QFN（3x3）
回收一系列模组如：5G、新能源、物联网、车联网、车规级、基站、通信、人工智能、射频、家电、晶闸管、医疗、工业、蓝牙5.0、以太网、传感器、光模块、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列模组，由于收购模组广泛，不能一一列举.
公司本着：诚实守信，专业便捷，和客户达成双赢的合作目的欢迎广大商户来电洽谈，如您有多余的库存需要处理，欢迎把库存清单发送到：chen13410018555@163.com 或来电直洽谈。
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