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七、Nor Flash指令
Nor Flash 的命令经常用于烧写数据到Nor Flash 。 flinfo 打印Flash存储器的信息，并列出所有Sector。 flinfo N 单独打Flash存储器N Block的信息。（在有多块Nor Flash时使用） 使用范例：
后面带有(RO)的说明这个Sector已经写保护了。 因为Nor Flash的读取接口和SDRAM是一样的，所以Nor Flash的读取也是使用md命令。范例如下：
但由于Nor Flash的烧写时序和SDRAM的写入不同，烧写Nor Flash 不能使用mm等命令，只能使用cp命令从内存拷贝到Nor Flash，而且烧写之前必须解除保护并擦除！命令如下： protect ：对Flash 写保护的操作，可以使能和解除写保护。 格式： protect on/off start end protect on/off start +end protect on/off N:SF[-SL] protect on/off bank N protect on/off all 第1 个参数on 代表使能写保护；off 代表解除写保护。 第2 、3 参数是指定Flash 写保护操作范围 start end是照起始地址和结束地址定义范围，start是擦除块的起始地址；end 是擦除末尾块的结束地址。 例如：擦除Sector 2和Sector 3区域命令为erase 20000 3ffff 。 start +end是照起始地址和操作字节数定义范围，这种方式最常用。start是擦除块的起始地址；end 是擦除的字节数。 例如：擦除Sector 2和Sector 3区域命令为erase 20000 +20000 N:SF[-SL]是按照组和扇区，N 表示Flash 的Block号，SF 表示擦除起始Sector号，SL 表示擦除结束Sector号。 例如：擦除Block1 的Sector 2和Sector 3区域命令为erase 1:2-3。 bank N是擦除整个Block，擦除Block号为N 的整个Flash。 all是擦除全部Flash。 注意：Nor Flash擦除的最小单位是Sector，也就是0x10000字节，如果你定义的大小不满1 Sector或超过Sector的边界，那么被定义到的Sector会被全部擦除。 erase ：擦除Flash的命令 格式： erase start end erase start +end erase N:SF[-SL] erase bank N erase all 参数是指定Flash 擦除操作范围，跟写保护的方式相同。 以下的范例将mini2440的Nor Flash的Sector 16写保护，再解除保护，擦除数据，最后将起始的20字节拷贝到Sector 16。
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