IGLD60R190D1AUMA1，IGLD60R070D1AUMA3，IGT60R190D1SATMA1 [MOSFET晶体管]
本帖最后由 mjddz 于 2024-3-2 10:47 编辑明佳达电子，星际金华（供应，回收）原装库存器件：IGLD60R190D1AUMA1，IGLD60R070D1AUMA3，IGT60R190D1SATMA1 。
IGLD60R190D1AUMA1：600V 10A N通道晶体管
型号：IGLD60R190D1AUMA1
封装：8-LDFN
类型：MOSFET 晶体管
IGLD60R190D1AUMA1 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 960µA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：157 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-LSON-8-1
封装/外壳：8-LDFN 裸焊盘
IGLD60R070D1AUMA3：600V 15A N通道晶体管 表面贴装型
型号：IGLD60R070D1AUMA3
封装：8-LDFN
类型：N通道晶体管
IGLD60R070D1AUMA3 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：114W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-LSON-8-1
封装/外壳：8-LDFN 裸焊盘
IGT60R190D1SATMA1： 600V MOSFET晶体管 表面贴装型
型号：IGT60R190D1SATMA1
封装：HSOF-8
类型：MOSFET晶体管
IGT60R190D1SATMA1 产品属性：
技术：GaN
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：HSOF-8
晶体管极性：N 通道
通道数量：1 通道
Vds-漏源极击穿电压：600 V
Id-连续漏极电流：12.5 A
Rds On-漏源导通电阻：190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压：900 mV
Qg-栅极电荷：3.2 nC
最小工作温度：-55°C
最大工作温度：+150°C
Pd-功率耗散：55.5 W
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
【供求】 IGLD60R190D1AUMA1，IGLD60R070D1AUMA3，IGT60R190D1SATMA1 （供应，求购）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
页:
[1]