[供求] IPLU300N04S41R1 晶体管 IRFP4668PBF，ISL9538CHRTZ 电池充电器
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！[元器件] IPLU300N04S41R1，IRFP4668PBF，ISL9538CHRTZ（供应，求购）【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！IPLU300N04S41R1：40V300A MOSFET N通道晶体管型号：IPLU300N04S41R1封装：8-PowerSFN类型：MOSFET 晶体管IPLU300N04S41R1 是40V、最大 1.15 mΩ、OptiMOS™-T2 汽车MOSFET N 沟道晶体管。产品属性FET 类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.15 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 125µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：151 nC @ 10 VVgs（最大值）：±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12090 pF @ 25 V功率耗散（最大值）：300W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳：8-PowerSFNIRFP4668PBF：200V130A 单N通道 MOSFET 晶体管型号：IRFP4668PBF封装：TO-247-3类型：MOSFET 晶体管IRFP4668PBF 是 200V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-247 封装。产品属性：FET 类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 81A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：241 nC @ 10 VVgs（最大值）：±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10720 pF @ 50 V功率耗散（最大值）：520W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装：TO-247AC封装/外壳：TO-247-3
ISL9538CHRTZ：带SMBus接口的降压-升压型窄VDC电池充电器IC型号：ISL9538CHRTZ
封装：TQFN-32
类型：电池充电器
ISL9538CHRTZ是一款升降压窄输出电压直流（NVDC）充电器。
产品属性：
电池化学成份：锂离子/聚合物
电池数：2 ~ 4
电流 - 充电：恒流 - 可编程
可编程特性：电流
故障保护：过流，超温
电池组电压：2.4V ~ 18.304V
电压 - 供电（最高）：23.4V
接口：I²C，SMBus，USB
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：32-TQFN（4x4）
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