存储芯片S29GL064S70TFI060 NOR 闪存颗粒和IS42S32800J-7TLI SDRAM颗粒

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明佳达电子原装现货供应 S29GL064S70TFI060 与 IS42S32800J-7TLI 产品介绍及规格参数

1、S29GL064S70TFI060 — 64Mb GL-S MIRRORBIT™ 并行NOR Flash
产品介绍
S29GL064S70TFI060 是 Infineon Technologies（原Cypress/Spansion）推出的 64Mb（8MB）GL-S系列MIRRORBIT™ 并行NOR Flash存储器，采用65nm MIRRORBIT™工艺技术制造，工作电压为3.0V。该器件面向高性能嵌入式应用，支持快速随机读取，适用于代码存储和引导加载等场景。


该芯片采用灵活扇区架构，均匀扇区型号包含128个32K字（64KB）扇区，支持高级扇区保护功能，包括持久扇区保护和密码扇区保护。内置硬件ECC（单比特纠错），并符合JEDEC标准，具备通用Flash接口（CFI）兼容性，便于主机系统识别和适配多种Flash器件。


规格参数
制造商：Infineon Technologies（Infineon/Cypress）
系列：GL-S（MIRRORBIT™）
存储容量：64 Mbit（8 MB）
存储组织：4M × 16 bit
存储器类型：NOR Flash（非易失性）
接口类型：并行
访问时间：70 ns
页读取时间：15 ns（8字/16字节页读取缓冲）
写缓冲：128字/256字节
扇区架构：128个32K字（64KB）扇区（均匀扇区型号）
工艺技术：65 nm MIRRORBIT™
供电电压：2.7V ~ 3.6V
VIO范围：1.65V ~ VCC
工作温度：-40°C ~ +85°C（工业级）
封装类型：48引脚 TSOP
安装方式：表面贴装
擦写次数：每扇区最少100,000次
数据保持：典型20年
典型待机电流：40 μA
典型读取电流：25 mA @ 5 MHz
MSL等级：MSL 3（168小时）
RoHS 符合：RoHS3标准
包装方式：托盘（Tray）


主要特性：

• 支持程序暂停/恢复、擦除暂停/恢复操作，可在编程或擦除期间读取其他扇区
• 内置Data#轮询和Toggle位状态反馈机制
• 支持Unlock Bypass编程模式
• 单电源供电，集成自动纠错（ECC）功能
  

三、IS42S32800J-7TLI — 256Mb 同步动态随机存取存储器（SDRAM）
产品介绍
IS42S32800J-7TLI 是 ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.，美国芯成）推出的256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM），采用高速CMOS工艺制造，内部配置为四Bank DRAM架构。该器件设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统，工作时钟频率高达143MHz，适用于需要高速数据缓存的嵌入式系统和通信设备。


该产品为工业级器件，支持自动预充电、自动刷新、高速时钟同步及自动列地址生成等功能特性。其8M × 32bit的组织结构可提供宽位宽数据总线访问，适合视频处理、网络通信、工业控制等对内存带宽有较高要求的应用场景。


规格参数
制造商：ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）
系列：IS42S
存储器类型：SDRAM（同步动态随机存取存储器）
存储容量：256 Mbit
存储组织：8M × 32 bit（2M × 32bit × 4 Banks）
接口类型：并行
最大时钟频率：143 MHz
最大访问时间：5.4 ns
供电电压：3.0V ~ 3.6V（标称3.3V）
工作温度：-40°C ~ +85°C（工业级）
封装类型：TSOP-II，86引脚
安装方式：表面贴装
端子位置：双列（DUAL）
MSL等级：MSL 3（168小时）
RoHS 符合：RoHS标准
包装方式：托盘/管装


主要特性：

• 高速CMOS工艺，四Bank内部架构
• 支持自动预充电和自动刷新
• 高速时钟同步操作
• 自动列地址生成
• 宽位宽32bit数据总线，适合高带宽应用