专为音频设计 SSM2212RZ 双通道匹配NPN晶体管 /BSZ440N10NS3G MOSFET

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BSZ440N10NS3G是一款100V OptiMOS™ 功率MOSFET，它可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，BSZ440N10NS3G器件在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
主要特性和优势：
优异的开关性能
世界较低的 (R Ds(on))
极低的 Qg 和 Qgd
出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 评级 2
环保
提高效率
极高的功率密度
减少并联
极低的板空间消耗
产品易于设计
BSZ440N10NS3G专为以下应用领域设计：
AC-DC SMPS的同步整流
48V-80V 系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）
隔离式 DC-DC 转换器（电讯和数据通信系统）
48V系统的开关和断路器
D 类音频放大器
不间断电源 (UPS)

明佳达电子供应 —— 专为音频设计 SSM2212RZ 双通道匹配NPN晶体管/BSZ440N10NS3G功率MOSFET

SSM2212RZ是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。它具有以下主要特点：
极低电压噪声：1nV/√Hz（最大值，100Hz）
出色的电流增益匹配： 0.5%
低失调电压(VOS)：200 μV（最大值）
出色的失调电压漂移：0.03μV/ºC
高增益带宽积：200MHz


此外，SSM2212RZ具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 Ω）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。
电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使得SSM2212RZ成为对称平衡设计的理想选择，可抑制高阶放大器谐波失真。
基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。
SSM2212RZ同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外，由于晶体管对之间的VBE不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212RZ的低VOS无需进行失调调整。SSM2212RZ可在-40ºC至85ºC的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。