Wi-Fi前端模块QPF4206 AON6407晶体管 TC58NVG1S3HBAI6存储器ic
【明佳达电子、星际金华】三款原装芯片：供应/回收——QPF4206、AON6407、TC58NVG1S3HBAI6。QPF4206：2412MHz 至 2484MHz，Wi-Fi前端模块，QFN-16AON6407：30V，P沟道MOSFET晶体管，DFN-8TC58NVG1S3HBAI6：2Gbit，非易失NAND闪存存储器IC，VFBGA-67【参数信息详情】明佳达供应/回收：QPF4206：2412MHz 至 2484MHz，Wi-Fi前端模块，QFN-16概述：QPF4206B 是一款2.4GHz，Wi-Fi前端模块设计用于802.11ax系统，具有集成匹配，可最大限度地减小应用布局面积。该射频前端模块是超小型内置模块，集成了用于无线前端电路的各种功能元件。产品特性：宽范围集成直流电源检测器POUT = +19dBm MCS11 HE40 -43dB动态EVMPOUT = +21dBm MCS9 VHT40 -35dB动态EVMPOUT = +22.5dBm MCS7 HT20 -30dB动态EVMPOUT = +25dBm MCS0 HT20频谱模板适应性工作频率范围：2412MHz至2484MHz工作电源电压：+5V33dB Tx增益2.1dB噪声系数15dB Rx增益和6dB旁路损耗Rx路径上具有25dB 5GHz抑制能力
AON6407：30V，P沟道MOSFET晶体管，DFN-8FET 类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：6V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 10 VVgs（最大值）：±25V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3505 pF @ 15 V功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：8-DFN（5x6）封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
TC58NVG1S3HBAI6：2Gbit，非易失NAND闪存存储器IC，VFBGA-67存储器类型：非易失存储器格式：闪存技术：FLASH - NAND（SLC）存储容量：2Gb存储器组织：256M x 8存储器接口：并联写周期时间 - 字，页：25ns访问时间：25 ns电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型封装/外壳：67-VFBGA
供应商器件封装：67-VFBGA（6.5x8）
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